中國對存儲產(chǎn)業(yè)的支持力度加大，過去幾年取得了長足進步，據(jù)悉，在NAND存儲領(lǐng)域，YMTC與韓企的差距已縮短至2年，雙方差距正在快速地消失中。

中國在DRAM 技術(shù)方面與三星、SK 海力士等領(lǐng)先企業(yè)仍存在5年以上的差距。其中主要原因在于NAND存儲技術(shù)的壁壘相對低一些，使得中國追趕速度不斷加快，因此差距縮小得更為明顯。

其中，中國最大的存儲半導體企業(yè)YMTC，在2022年發(fā)布了基于晶棧3.0（Xtacking 3.0）架構(gòu)的第4代3D TLC存儲芯片，名為X3-9070。

YMTC也領(lǐng)先于三星和SK海力士，實現(xiàn)了更高層數(shù)的NAND存儲芯片的量產(chǎn)，回擊了外界質(zhì)疑的聲音。

去年一年，中國存儲業(yè)者來自政府與官方主導投資基金投入近人民幣500億，持續(xù)且大量的資金投入支援確實能取得效果，一方面是技術(shù)的追趕，另一方面是更快的市場滲透。

隨著半導體電路小型化逼近極限，中國可能會抓住另一個縮小技術(shù)差距的機會，就是先進封裝技術(shù)。這種高性能、多芯片的封裝被視為突破半導體小型化限制的關(guān)鍵。

目前中國是全球第二大封裝技術(shù)市場，有著較為完善的生態(tài)系統(tǒng)，長電科技、通富微電和華天科技都進入了全球10大半導體封裝企業(yè)的前10名，而韓國沒有一間公司出現(xiàn)在榜單上。

前不久YMTC在美國加州法院，控告美光科技及全資子公司美光消費產(chǎn)品公司侵犯其專利。YMTC表示，美光使用YMTC的專利技術(shù)，以抵御來自YMTC的競爭，并獲得和保護市場占有率。這等于是直接展示了中國廠商在NAND存儲上突飛猛進的進步成果。